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FD-SOI FPGA

跳出体硅的围城,偏置之间,自有分寸
概述
FD-SOI 不是一种工艺选项
而是一种设计哲学
中科芯磁 FD-SOI FPGA
让高性能与低耗电
不再分两条路走
同一颗芯片
同一套逻辑
在不同的工作状态间无缝切换
从边缘计算到汽车电子
从工业控制到消费终端
它不是在某一项上做到极致
而是在所有场景中保持从容
FD-SOI FPGA
为可重构计算
提供了一种更平衡的解法

产品特性

性能增强.svg
性能增强,运行频率更高处理速度更快
在与同代体硅工艺对比中,FD-SOI基电路通过施加正向偏置电压,可将工作频率提升30%。
器件层与衬底有效隔离.svg
器件层与衬底有效隔离 静态功耗显著下降
利用反向偏置技术,FD-SOI基电路能在更低的额定电压下稳定工作,实现静态功耗降低70%。使得该技术非常契合物联网、人工智能、低功耗计算及5G通信等场景的需求。
继续采用平面工艺.svg
继续采用平面工艺 具备更高性价比
相较于FinFET工艺,FD-SOI整体所需的掩膜板数量更少,制造成本更具优势,性价比更高。从传统体硅工艺进行设计转换的过程也更为简便。
优异的可靠性与低软错误率.svg
优异的可靠性与低软错误率
相比于传统的体硅工艺和先进的FinFET工艺,FD-SOI基电路本身具有更低的固有软错误率,因此在汽车电子、电力设备、生命支持系统等对可靠性要求极高的关键领域表现出众。
FD-SOI.png

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